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布鲁斯托大学孙华锐博士来公司学术访问

时间：2015-01-21 21:41

    12月27日下午，应威廉希尔马晓华教授邀请，英国布鲁斯托大学（University of Bristol）孙华锐博士来公司进行学术访问，并给威廉希尔和微电子学院师生作了题为“Reliability of AlGaN/GaN HEMTs: Electrical and Thermal Challenges”的报告。孙华锐博士本科毕业于清华大学，博士毕业于密歇根大学（University of Michigan, Ann Arbor），目前在英国布鲁斯托大学Martin Kuball教授领导的器件热谱和可靠性研究中心（Center for Device Thermography and Reliability）从事氮化物HEMT的可靠性研究工作。孙博士的研究工作发表在Physical Review Letters, Applied Physics Letters, IEEE Electron Device Letters, Journal of Applied physics等重要期刊上。

    此次报告的内容主要包括两部分，分别是关态应力下HEMT器件失效位置的产生机理和金刚石衬底上GaN器件的热管理，这两部分内容都是目前氮化物HEMT器件的研究热点。孙博士的最新实验结果表明：关态应力下，器件的栅极漏电主要是由电化学机制引起的；孙博士还巧妙的采用一个器件上的多个缺陷进行统计分析，克服了以往可靠性统计分析需要采用众多器件的困难。孙博士采用反射光谱的方法表征了金刚石/氮化物界面的热阻，结果表明采用金刚石作为氮化物HEMT器件的衬底，可以使器件的功率密度提升300%，这是目前美国研究“近结热传输项目”的最新、最重要的进展。

    孙博士细致入微的研究工作、深入浅出的讲解给大家留下了深刻的印象。在讲解过程中，马晓华教授等师生就其中的关键机理和技术问题与孙博士进行了交流。会后，孙博士参观了宽带隙半导体技术国家重点学科实验室，双方就进一步交流和合作达成了意向。此次学术交流对于提升公司氮化物可靠性研究工作起到了重要的推动作用。

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